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7.5.3 雙極型晶體三極管

（一）基本結構

半導體三極管(簡稱晶體管)是在一塊半導體上生成兩個pn結組成，有npn和pnp兩大類型，其結構和符號如下圖

由圖可見，它們有三個區(qū)，分別稱為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。三個區(qū)各引出一個電極，分別稱為發(fā)射極e、基極b、集電極c。發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間形成的pn結稱發(fā)射結，基區(qū)和集電區(qū)之間的pn結稱集電結。晶體管制造工藝的特點是：發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，基區(qū)很薄且摻雜濃度很低，集電區(qū)摻雜濃度低且結面積比發(fā)射結大。這些特點是晶體管具有電流放大能力的內部條件。

（二）晶體管的放大原理

1、晶體管的工作狀態(tài)及其外部條件

（1）開關狀態(tài)  （2）放大狀態(tài)

晶體管處于放大狀態(tài)的條件：為了使晶體管具有放大作用，除了結構上的條件外，還必須有合適的外部條件。這就是要求外加電壓使發(fā)射結正偏，集電結反偏。根據(jù)偏置要求，外加直流電源與管子的連接方式如下圖所示。

                     npn型                    pnp型

2．晶體管內部載流子的傳輸過程：晶體管在放大電路中有三種連接方式(或稱組態(tài))，即共發(fā)射極、共基極和共集電極接法，如下圖所示。

3、晶體管處于放大狀態(tài)的電路配置及相關計算

（1）固定偏置方案

（2）分壓式偏置方案

（3）偏置方案3

3、晶體管處于放大狀態(tài)時的小信號模型

 

7.5.4 共射極放大電路

1、獲取晶體管放大電路的“小信號模型”方法

2、固定偏執(zhí)放大電路的電壓放大能力

3、分壓式偏執(zhí)放大電路的電壓放大能力

（1）含旁路電容   （2）不含旁路電容